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【CNMO科技消息】CNMO從韓媒獲悉，三星正加速推進(jìn)京畿道平澤第五工廠（P5）的建設(shè)復(fù)工，旨在搶占新一代高帶寬內(nèi)存（HBM）的先發(fā)產(chǎn)能。

三星

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)消息，三星平澤園區(qū)P5工地工人已開始密集搬運(yùn)鋼結(jié)構(gòu)并接受安全培訓(xùn)，預(yù)示全面施工即將啟動(dòng)。公司計(jì)劃最早于下月重啟投資并動(dòng)工。該項(xiàng)目原定去年啟動(dòng)，但因半導(dǎo)體市場(chǎng)惡化而延期。

據(jù)悉，三星擬通過P5擴(kuò)建提升HBM供應(yīng)能力。HBM作為垂直堆疊多塊DRAM的高性能內(nèi)存，可大幅提升數(shù)據(jù)處理速度。當(dāng)前市場(chǎng)主導(dǎo)產(chǎn)品為第五代HBM3E（應(yīng)用于英偉達(dá)Blackr:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫ell芯片），三星預(yù)計(jì)本月通過其質(zhì)量驗(yàn)證。

在向英偉達(dá)批量供應(yīng)HBM3E后，三星計(jì)劃搶占第六代HBM4市場(chǎng)先機(jī)。HBM4將搭載于英偉達(dá)下一代AI加速GPU"Rubin"。盡管三星HBM研發(fā)進(jìn)度較SK海力士落后約三個(gè)月，但公司擬通過強(qiáng)化產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)快速追趕。

英偉達(dá)預(yù)計(jì)明年一季度完成HBM4質(zhì)量驗(yàn)證，并于下半年敲定Rubin系列供應(yīng)商及訂單量。雖然SK海力士可能率先獲單，但業(yè)界正密切關(guān)注三星的訂單進(jìn)展速度。

為提前向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4，三星計(jì)劃在平澤第四工廠（P4）空置產(chǎn)線導(dǎo)入10納米級(jí)第六代（1c）DRAM工藝，以行業(yè)最先進(jìn)制程量產(chǎn)HBM4專用DRAM。目前三星已完成HBM4內(nèi)部量產(chǎn)批準(zhǔn)，正籌備樣品生產(chǎn)以推進(jìn)客戶供應(yīng)談判。樣品生產(chǎn)系大規(guī)模量產(chǎn)前向客戶提供少量試制芯片的關(guān)鍵階段。

半導(dǎo)體行業(yè)人士指出："內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)計(jì)明年起逐步復(fù)蘇，HBM需求將持續(xù)增長(zhǎng)。三星此舉旨在預(yù)先確保產(chǎn)能以把握機(jī)遇。"KB證券分析師金東元預(yù)測(cè)："三星將通過明年一季度平澤園區(qū)擴(kuò)建提升2026年HBM市場(chǎng)份額，且極有可能在四季度啟動(dòng)HBM4初期生產(chǎn)。"

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